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Einleitung
In den Grundlagen der Elektrotechnik haben wir gelernt das es egal ist wo in der Schaltung ein Schalter angebracht wird. Sobald der Stromkreis unterbrochen wird, fließt auch kein Strom mehr. Daher ist auch egal ob der Schalter vor oder nach dem Verbraucher angebracht wird. Wird der Schalter mithilfe eines MOSFET oder IGBT realisiert, stimmt dies jedoch nicht mehr. Je nach Transistor Art ist dabei wichtig ob der Schalter als Low-Side Schalter oder High-Side Schalter verbaut wird. Low-Side Schalter
Als Low-Side Schalter wird ein Schaltungs-Aufbau bezeichnet welcher wie im nebenstehenden Bild aufgebaut ist. Dabei schaltet der FET eine Last gegen Masse. Unterschied Mosfet-Transistor Verstärker, Verstärker/Receiver - HIFI-FORUM. Im unten stehenden Kapitel wird erklärt warum dies wichtig sein kann. High-Side Schalter
Als High-Side Schalter wird ein Schaltungs-Aufbau bezeichnet welcher wie im nebenstehenden Bild aufgebaut ist. Dabei schaltet der FET eine Last gegen die Versorgungsspannung. N-Kanal Low-Side Schalter
Wie in der obenstehenden Abbildung wird in diesem Beispiel zwischen Gate und Masse (U G) wird 10V angelegt.
Okt 2010, 00:10 PA-Leistungsverstärker sind oft MOSFET-Verstärker.... das hat IMHO einen guten Grund. MosFets haben einen negativen Temperaturkoeffizienten, der durch Erwärmung entstehende "second breakdown" (beim BJT) entfällt. Dadurch schützen sie sich selbst vor Überhitzung. Andererseits ist deren Kennlinie nicht so steil wie bei BJT - sie erzeugen also "mehr" Harmonische als BJT, "klingen" nach div. Aussagen mehr nach Röhre. Ich habe hier u. a eine PA-Endstufe mit 2x 4 SK/SJ-Hitachi MosFets pro Seite - das Ding ist von ´78 und hat bestimmt schon einiges erlebt. Feldeffekt-Transistoren - Verstrkergrundschaltungen. Arbeitstiere mit gutmütigem Klang - leider zu schlecht für die HiFi-Gazetten. ;-) Detlef #20 erstellt: 15. Okt 2010, 00:16 Andererseits ist deren Kennlinie nicht so steil wie bei BJT - sie erzeugen also "mehr" Harmonische als BJT, "klingen" nach div. Vom Röhrenargument bei MOSFETs habe ich schon öfter gehört. Somit wären ja MOSFETs gerade die HiEND-Endstufen. In welchem Breich bewegen sich denn die Verzerrungen so? Ist Rauschen ein Problem?
Das Programm stellt die Grundschaltungen der verschiedenen FET's gegenber, gibt Anleitungen und berechnet die Schaltungen nach Ihren individuellen Vorgaben. Danach knnen Sie die Oszillogramme u1 und u2 fr maximale sinusfrmige Aussteuerung darstellen lassen, dazu die Bode-Diagramme fr u2 + phi = f(f). Auerdem werden die einzelnen FET-Typen nach Aufbau und Wirkungsweise erklrt. Nachfolgend einige Seiten aus dem Programm. High-Side und Low-Side - F.M.H.. Downloadbar ist hier allerdings nur die Demoversion. Infos fr die Vollversionen der Programme unter "Preis-Info". Bei Interesse richten Sie bitte ein email an die nebenstehende Adresse.
M oderne Lokdecoder haben einiges zu bieten, darunter fallen auch zahlreiche Funktionsausgnge. Nicht immer ist an diesen Ausgngen aber direkt eine Last anschliessbar. Whrend die Ausgnge Licht vorne (VL), Licht hinten (RL), Aux1 und Aux2 immer direkt verwendbar sind, beispielsweise fr Glhbirnen, darf bei vielen Decodern an den weiteren Ausgngen wie Aux3 bis Aux6 keine Last direkt angeschossen werden. Der Grund hierfr liegt an der Decoderschaltung: diese Ausgnge kommen - im Gegensatz zu den oberen vier erwhnten Ausgnge - direkt vom Decoder-Prozessor, ohne entsprechende Verstrkerschaltung (Ausgangstreiber). D iese Ausgnge fhren dann nur einen Logik-Pegel (engl. Mosfet verstärker schaltung in paris. logic level) von 5VDC und "verkraften" meistens einen Strom von nur wenigen Milliampere. Ein Versuch, daran direkt eine Last anzuschliessen, fhrt fast immer zur Zerstrung des Decoders. Die 21MTC Inkompatibilitt B esonders kritisch ist diese Tatsache bei der 21MTC Schnittstelle. Die ursprngliche Definition dieser Schnittstelle, welche auch von der NEM unter NEM660 (mit einigen Anpassungen) bernommen wurde, definiert Aux3 bis Aux6 mit Logik Pegel (mind.
> > Hau weg die 10A Quelle und mach einen sinnvollen Verbraucher(Widerstand, > LED) zwischen Drain und +5V. Stimmt, das hatte ich noch ganz vergessen zu schreiben:D von MaWin (Gast) 20. 08. 2012 11:48 > Aber irgendwie raff ich es nciht wie ich die Beschaltung > des OP realisieren muss Ein mit 5V versorgter TLC274 wird nicht genug Spannung liefern, um eine IRFP250 ganz aufzusteuern. Eine STROMQUELLE für den Leistungskreis erübrigt jegliche Regelung. Noy (Gast) 20. 2012 12:11 Also um es noch einmal kurz zu erklären. 1. Bauteile sind noch nciht die endgültigen. und 2. Die Werte auch nicht. Meine Absicht ist das ich die Spannung die über dem Mosfet abfällt zu regeln. Also es sollen zb. egal bei welchem Strom 100mV abfallen. 1. Ist die Schaltung vom Aufbau her für meine Zwecke richtig? Du musst die Stromquelle I1 durch eine passive Last ersetzen. Mosfet verstärker schaltung in google. Nimm einen 4Ohm Widerstand statt I1. 20. 2012 12:28 Das Problem ist das ich da keine Last habe. Es geht darum ein Netzteil kurzzuschließen. Und dabei einen definierten Spannungsfall über dem Mosfet zu bekommen.
Der Kollektoranschluss des Transistors ist der Ausgang für die Ausgangsspannung U a. Der Emitteranschluss ist der gemeinsame Bezugspunkt von Eingangs- und Ausgangsspannung. Deshalb wird diese Schaltung Emitterschaltung genannt. Hinweis zum Arbeitspunkt: Diesen kann man durch die Wahl von R C und R V optimieren in Funktion der Stromverstärkung (Exemplarstreuung und temperaturempfindlich), wenn die Umgebungstemperatur stabil ist. Die Kollektor-Emitterspannung ist davon abhängig. Strom- und Spannungsverteilung Die Wechselspannung U e wird über den Koppelkondensator C K angelegt. Über den Spannungsteiler R 1 und R 2 wird der Arbeitspunkt eingestellt. Dadurch wird die Basis-Emitter-Spannung U BE je nach Transistor auf 0, 3 V (Germanium) oder 0, 6 V (Silizium) eingestellt. Der Widerstand R C ist maßgeblich an der maximalen Spannungsverstärkung beteiligt. Mosfet verstärker schaltung in nyc. Und er begrenzt den Kollektorstrom I C für den Transistor. Die Koppelkondensatoren C K trennen das Wechselstromsignal von der Gleichspannung.
Dabei müssen die Kollektor- und Basisstromwerte des Transistors beachtet werden. Generell unterscheidet man zwischen zwei Möglichkeiten der Arbeitspunkteinstellung. Arbeitspunkteinstellung mit Basis-Vorwiderstand Arbeitspunkteinstellung mit Basis-Spannungsteiler Arbeitspunktstabilisierung bei der Emitterschaltung Alle Transistorwerte sind temperaturabhängig. Das bedeutet, auch der Arbeitspunkt des Transistors ist temperaturabhängig. Je nach Anwendung des Transistors und Ort des Betriebs, kann die Temperatur auf die Emitterschaltung einwirken und den Arbeitspunkt verschieben. Das Verschieben des Arbeitspunktes führt am Ausgang der Emitterschaltung zu nichtlinearen Verzerrungen. In der Regel nimmt bei steigender Temperatur der Kollektorstrom I C zu. Um dem entgegen zu wirken verkleinert man die Basis-Emitter-Spannung U BE und verhindert so den Anstieg des Kollektorstroms I C. Die Schwierigkeit ist, die Basis-Emitter-Spannung U BE so zu verkleinern bzw. zu vergrößern, dass eine Arbeitspunktstabilisierung eintritt.